Модуль памяти Kingston KVR533D2D8F4-1G

Общие характеристики
Тип памяти DDR2
Форм-фактор FB-DIMM 240-контактный
Тактовая частота 533 МГц
Пропускная способность 4200 Мб/с
Объем 1 модуль 1 Гб
Поддержка ECC есть
Буферизованная (Registered) да
Низкопрофильная (Low Profile) нет
Тайминги CAS Latency (CL) 4
RAS to CAS Delay (tRCD) 4
Row Precharge Delay (tRP) 4
Activate to Precharge Delay (tRAS) 12
Дополнительно
Количество чипов каждого модуля 18, двусторонняя упаковка
Напряжение питания 1.8 В
Радиатор есть
Количество ранков 2
Дополнительная информация Память снабжена микросхемой AMB (Advanced Memory Buffer), которая увеличивает скорость буферизации всех сигналов - синхронизации, адреса, команд и данных в направлении устройства DRAM и обратно.

Мнения покупателей: